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新聞快訊

超高純鋁靶材項目申請指南發布

2009-07-23

  據國家科技部消息,物理氣相沉積(PVD)是半導體芯片和TFT-LCD生產過程中最關鍵的工藝之一,PVD用濺射金屬靶材是半導體芯片生產及TFT-LCD制備加工過程中最重要的原材料之一,濺射金屬靶材中用量最大的是超高純鋁和超高純凈鋁合金靶材。

  由此可見,研發具有自主知識產權的大尺寸超高純鋁靶材的制造關鍵技術,開發出滿足半導體行業及TFT-LCD產業需求的超高純鋁靶材產品,對于我國相關產業的發展具有重要意義。

  為公正、公平、公開地選擇項目承擔單位,充分調動相關企業、科研院所及高等院校的積極性,集成全國在鋁的精煉提純、大尺寸鋁板形變加工及濺射金屬靶材專業制備等領域的優勢研發力量開展本項目的工作,科技部發布了《國家高技術研究發展計劃(863計劃)新材料技術領域“大尺寸超高純鋁靶材的制造技術”重點項目申請指南》。

 

 
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